無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng) 

 

PV-1000系列無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)為太陽能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、（總厚度變化）TTV、翹曲及無接觸電阻率測(cè)量功能。并提供基于TCP/IP的數(shù)據(jù)傳輸接口及基于Windows的控制軟件，用以進(jìn)行在線及離線數(shù)據(jù)管理功能。





無接觸硅片綜合測(cè)試系統(tǒng)-產(chǎn)品特點(diǎn)


■ 使用MTI Instruments獨(dú)有的推/拉電容探針技術(shù)
■ 每套系統(tǒng)提供最多三個(gè)測(cè)量通道
■ 可進(jìn)行最大、最小、平均厚度測(cè)量和TTV測(cè)量
■ 可進(jìn)行翹曲度測(cè)量（需要3探頭）
■ 用激光傳感器進(jìn)行線鋸方向和深度監(jiān)視（可選）
■ 集成數(shù)據(jù)采集和電氣控制系統(tǒng)
■ 為工廠測(cè)量提供快速以太網(wǎng)通訊接口，速率為每秒5片
■ 可增加的直線厚度掃描數(shù)量
■ 與現(xiàn)有的硅片處理設(shè)備有數(shù)字I/O接口
■ 基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數(shù)據(jù)監(jiān)控
■ 提供標(biāo)準(zhǔn)及客戶定制的探頭
■ 提供基于Windows的動(dòng)態(tài)鏈接庫用于與控制電腦集成
■ 用渦電流法測(cè)量硅片電阻率






無接觸硅片綜合測(cè)試系統(tǒng)-技術(shù)指標(biāo)


■  晶圓硅片測(cè)試尺寸：50mm- 300mm.


■   厚度測(cè)試范圍：1.7mm，可擴(kuò)展到2.5mm.


■   厚度測(cè)試精度：+/-0.25um


■   厚度重復(fù)性精度：0.050um


■   測(cè)量點(diǎn)直徑：8mm


■  TTV 測(cè)試精度:  +/-0.05um
■  TTV重復(fù)性精度: 0.050um


■   彎曲度測(cè)試范圍： +/-500um [+/-850um]


■   彎曲度測(cè)試精度： +/-2.0um


■   彎曲度重復(fù)性精度： 0.750um


■ 電阻率測(cè)量范圍：5-2000ohm/sq（0.1-40ohm-cm）
■ 電阻率測(cè)量精度：2%


■ 電阻率測(cè)量重復(fù)精度：1%


■ 晶圓硅片類型：單晶或多晶硅


■ 材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料


■ 可用在：切片后、磨片前、后，蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等


■ 平面/缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口


■ 硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石/石英基底，黏膠帶


■ 連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量





應(yīng)用范圍


> 切片


>>線鋸設(shè)置


　　　　>>>厚度


    　　>>>總厚度變化TTV


     >>監(jiān)測(cè)


>>>導(dǎo)線槽


>>>刀片更換


>磨片/刻蝕和拋光


>> 過程監(jiān)控


>> 厚度


>>總厚度變化TTV


>> 材料去除率


>> 彎曲度


>> 翹曲度


>> 平整度


>　研磨


>> 材料去除率


>　最終檢測(cè)


>>　抽檢或全檢


>>  終檢厚度[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]